▲ 金(jin)石三(san)維(wei)陶瓷3D打印機K-D-2
傳(chuan)統的(de)機械加工方法制造(zao)結(jie)構復雜的(de)陶(tao)瓷(ci)(ci)(ci)零(ling)件,存在(zai)周期長、加工成本高、嚴(yan)重依賴模具(ju)等(deng)問題。相比較,增材制造(zao)技(ji)術(shu)(shu)在(zai)沒有模具(ju)的(de)情況下,可實(shi)現復雜陶(tao)瓷(ci)(ci)(ci)零(ling)件的(de)制備(bei)(bei)。其(qi)中,陶(tao)瓷(ci)(ci)(ci)光固(gu)化(hua)成形(xing)(xing)技(ji)術(shu)(shu)能夠制備(bei)(bei)高精(jing)度、復雜幾(ji)何形(xing)(xing)狀的(de)陶(tao)瓷(ci)(ci)(ci)。相比氧化(hua)物(wu)(wu)陶(tao)瓷(ci)(ci)(ci),灰(hui)(hui)色氮(dan)(dan)化(hua)物(wu)(wu)和(he)碳(tan)(tan)化(hua)物(wu)(wu)陶(tao)瓷(ci)(ci)(ci)粉體與光敏樹脂折(zhe)射率(lv)差較大,導致了(le)固(gu)化(hua)深度的(de)顯(xian)著(zhu)降低,而其(qi)較強的(de)紫外(wai)光吸(xi)收(shou)則抑制了(le)樹脂的(de)光聚合(he)。與此(ci)同時,氮(dan)(dan)化(hua)物(wu)(wu)陶(tao)瓷(ci)(ci)(ci)的(de)強共價鍵特性也(ye)使得其(qi)難以(yi)燒結(jie)致密(mi)化(hua)。因此(ci),高紫外(wai)光吸(xi)收(shou)的(de)灰(hui)(hui)色或者(zhe)氮(dan)(dan)化(hua)物(wu)(wu)和(he)碳(tan)(tan)化(hua)物(wu)(wu)陶(tao)瓷(ci)(ci)(ci)的(de)光固(gu)化(hua)成形(xing)(xing)及致密(mi)化(hua)是目前陶(tao)瓷(ci)(ci)(ci)光固(gu)化(hua)成形(xing)(xing)的(de)技(ji)術(shu)(shu)難點。
近期,來自萍鄉學院劉耀小組在制備出光固化Si3N4陶瓷漿料的基礎上,通過聚合動力學研究,討論成形工藝參數對坯體成形精度的影響;采用分段脫脂工藝,系統地分析不同階段的熱脫脂工藝對坯體缺陷的影響。該項研究成果所有實驗均在金石三維陶瓷3D打印機K-D-2上完成,并成功入選最新一期《AMF》期刊。
▲ 圖(tu)1 45 vol.%Si3N4漿料光固化(hua)坯體形貌圖(tu):(a)尺寸圖(tu);(b)單層切(qie)片圖(tu)
圖1為(wei)使用體(ti)積分(fen)數45 vol.% 制備(bei)的(de)(de)漿料在不同的(de)(de)曝(pu)光時(shi)間(jian)(jian)下在X、 Y、Z 軸(zhou)方向的(de)(de)收縮量(liang)。如圖所(suo)示(shi),當(dang)曝(pu)光時(shi)間(jian)(jian)是10 s 時(shi),三個方向上的(de)(de)收量(liang)最小。圖2是不同曝(pu)光時(shi)間(jian)(jian)下的(de)(de)X、Y軸(zhou)方向的(de)(de)尺寸(cun)精度(du)。由圖可得(de),不同曝(pu)光時(shi)間(jian)(jian)下的(de)(de)尺寸(cun)精度(du)符(fu)合正態分(fen)布。當(dang)曝(pu)光時(shi)間(jian)(jian)是10 s時(shi),坯體(ti)尺寸(cun)誤差在0.02mm范圍內,精度(du)等級達到IT 7級。
▲ 圖2 45 vol.%Si3N4漿料在不同(tong)曝光時間下的單(dan)層形貌(mao):(a) 5 s;(b) 10 s;(c) 15 s;(d) 20 s
圖(tu)3是(shi)切片層(ceng)厚為(wei)(wei)20 μm時(shi),用體(ti)(ti)積分數(shu) 45 vol.% 制備的(de)(de)(de)漿(jiang)料在不同的(de)(de)(de)曝(pu)(pu)(pu)光(guang)(guang)(guang)時(shi)間(jian)下(xia)(xia)固化坯(pi)體(ti)(ti)的(de)(de)(de)側(ce)面(mian)形(xing)貌(mao)圖(tu)。從圖(tu)中得(de)出,當(dang)曝(pu)(pu)(pu)光(guang)(guang)(guang)時(shi)間(jian)為(wei)(wei)5 s時(shi),坯(pi)體(ti)(ti)側(ce)面(mian)的(de)(de)(de)紋(wen)路清晰,而隨著(zhu)曝(pu)(pu)(pu)光(guang)(guang)(guang)時(shi)間(jian)的(de)(de)(de)增加,坯(pi)體(ti)(ti)側(ce)面(mian)的(de)(de)(de)紋(wen)路越來越模糊,當(dang)曝(pu)(pu)(pu)光(guang)(guang)(guang)時(shi)間(jian)為(wei)(wei)20 s時(shi),坯(pi)體(ti)(ti)側(ce)面(mian)紋(wen)路模糊,條紋(wen)數(shu)增加。這是(shi)因(yin)為(wei)(wei)當(dang)紫外光(guang)(guang)(guang)首先在薄膜(mo)和玻璃的(de)(de)(de)界面(mian)及(ji)薄膜(mo)和漿(jiang)料的(de)(de)(de)界面(mian)上發生反(fan)射(she),當(dang)紫外光(guang)(guang)(guang)再(zai)次達到(dao)每層(ceng)界面(mian)的(de)(de)(de)下(xia)(xia)表面(mian)后再(zai)次發生反(fan)射(she),最終再(zai)固化到(dao)漿(jiang)料上。此時(shi)經過二次反(fan)射(she)后的(de)(de)(de)光(guang)(guang)(guang)線(xian)與原來的(de)(de)(de)入射(she)光(guang)(guang)(guang)線(xian)形(xing)成(cheng)了一定(ding)的(de)(de)(de)偏差,導(dao)致漿(jiang)料出現了過曝(pu)(pu)(pu)光(guang)(guang)(guang)區域(yu),形(xing)成(cheng)了成(cheng)形(xing)誤差區域(yu),導(dao)致實際曝(pu)(pu)(pu)光(guang)(guang)(guang)的(de)(de)(de)面(mian)積比(bi)理論的(de)(de)(de)面(mian)積要大,出現了紋(wen)路現象。
▲ 圖3 45vol.% Si3N4漿料在不同曝光時間下坯(pi)體的側面形(xing)貌圖:(a) 5 s;(b) 10 s;(c) 15 s;(d) 20 s
▲ 圖(tu)4 光(guang)固化陶瓷實物圖(tu)
Copyright ? 深圳市金石三維打印科技有限公司 版權所有 | 網站地圖